U.S. DoD 5220.23-M 삭제 알고리즘은 가장 대표적이며 널리 사용되는 알고리즘이다. DoD 5220.23-M은 美 국방성의 보안문서 번호이다. 이 보안문서에 명시된 데이터의 완전삭제 지침을 U.S. DoD 5220.23-M 삭제 알고리즘이라고 부르고 있다. DoD 5220.23-M 덮어쓰기 알고리즘은 아래 표와 같다.
U.S. DoD 5220.23-M
| Pass |
Pattern Hex
|
| 1 |
00
|
| 2 |
00
|
| 3 |
Random
|
그러나 DoD 5220.23-M 알고리즘은 현재 표준 패턴으로 사용되고 있지 않으며, 더 발전된 U.S. DoD 5220.23-M(E) & U.S. DoD 5220.23-M(ECE) 알고리즘이 사용되고 있다.
DoD 5220.23-M(E)
| Pass |
Pattern Hex
|
| 1 |
Random
|
| 2 |
Random
|
| 3 |
00
|
U.S. DoD 5220.23-M(ECE)
| Pass |
Pattern Hex |
Pattern Binary
|
| 1 |
D3 |
11010011
|
| 2 |
2C |
101100
|
| 3 |
Random |
Random
|
| 4 |
Random |
Random
|
| 5 |
95 |
10010101
|
| 6 |
6A |
1101010
|
| 7 |
Random |
Random
|
U.S. DoD 5220.23-M(ECE) 알고리즘은 덮어쓰기를 7회에 걸쳐 수행하며, U.S. DoD 5220.23-M(E)는 3회 수행한다. 7회의 덮어쓰기를 실행하는 경우 1ㆍ2회에는 특정 바이트, 3ㆍ4회 랜덤 값, 5ㆍ6회 문자열, 7회 랜덤 값을 덮어쓴다. 3회 덮어쓰기 실행 시에는 1회 ‘0x00’값, 2ㆍ3회 랜덤 값을 덮어쓴다. DoD 5220.23-M에 명시된 데이터 삭제 매트릭스는 아래 표와 같다.
US Department of Defense 5220.23-M Clearing and Sanitization Matrix
| Media |
Clear |
Sanitize
|
| Magneic Tape1 |
|
|
| Type I |
a or b |
a, b, or m
|
| Type II |
a or b |
b or m
|
| Type III |
a or b |
m
|
| Magnetic Disk |
|
|
| Bernoullis |
a, b, or c |
m
|
| Floppies |
a, b, or c |
m
|
| Non-Removable Rigid Disk |
c |
a, b, d , or m
|
| Removable Rigid Disk |
a, b, or c |
a, b, d , or m
|
| Optical Disk |
|
|
| Read Many, Write Many |
c |
m
|
| Read Only |
|
m, n
|
| Write Once, Read Many (Worm) |
|
m, n
|
| Memory |
|
|
| Dynamic Random Access memory (DRAM) |
c or g |
c, g, or m
|
| Electronically Alterable PROM (EAPROM) |
i |
j or m
|
| Electronically Erasable PROM (EEPROM) |
i |
h or m
|
| Erasable Programmable (ROM (EPROM) |
k |
l, then c, or m
|
| Flash EPROM (FEPROM) |
i |
c then i, or m
|
| Programmable ROM (PROM) |
c |
m
|
| Magnetic Bubble Memory |
c |
a, b, c, or m
|
| Magnetic Core Memory |
c |
a, b, e, or m
|
| Magnetic Plated Wire |
c |
c and f, or m
|
| Magnetic Resistive Memory |
c |
m
|
| Nonvolatile RAM (NOVRAM) |
c or g |
c, g, or m
|
| Read Only Memory ROM |
|
m
|
| Static Random Access Memory (SRAM) |
c or g |
c and f, g, or m
|
| Equipment |
|
|
| Cathode Ray Tube (CRT) |
g |
q
|
| Printers |
|
|
| Impact |
g |
p then g
|
| Laser |
g |
o then g
|
